题目/Title：一种用于便携式射频识别阅读器的CMOS功率放大器
                        A CMOS Power Amplifier with 100% and 18% Modulation Depth for Mobile RFID Readers

作者/Author：高同强,张春,池保勇,王志华
                        Tongqiang Gao,Chun Zhang,Baoyong Chi,Zhihua Wang

期刊/Journal：半导体学报 Chinese Journal of Semiconductors

年份/Issue Date：2008

卷（期）及页码/Volume（No.）&pages：Vol.29, No.6, pp. 1044 - 1047

摘要/Abstract：
针对一种特定的射频识别技术的通讯协议(ISO1800-6B)，提出了一种应用于射频识别读写器中的发射机前端结构，以实现发射信号的OOK调制. 采用0.18μm CMOS工艺实现的这种高效率、高度集成的无线发射机前端由射频信号调制器、E类功率放大器以及相应的逻辑控制单元组成，其中的功率放大器的小信号增益约为23dB，其1dB压缩点输出功率为17.6dBm，最大输出功率为19.0dBm,而最大功率增加效率为35.4%. 整个发射机的输出信号满足相应协议的特定要求，可以实现不同调制深度（18%和100%）的射频
Aiming at the specific protocol of RFID technology, a 915 MHz CMOS transmitter front-end for OOK modulation is implemented in a 0.18 μm CMOS process. The transmitter incorporates a class-E power amplifier (PA), a modulator, and a control logic unit. The direct-conversion architecture minimizes the required on-and-off-chip components and provides a low-cost and efficient solution. A novel structure is proposed to provide the modulation depth of 100% and 18% respectively. The PA presents an output 1 dB power of 17.6 dBm while maintaining a maximum PAE of 35.4%.