基于0.18um CMOS工艺，采用流水线结构设计，分辨率为16 bit，转换速度达到250MS/s，芯片照片及典型测试结果如图1所示。该芯片采用高精度高速设计，带有前台、后台数字校准以及随机抖动(dither)处理，具有很高的输出频谱质量。此外，该芯片还集成了电压基准、参考驱动器、SPI接口等辅助模块，简化外围电路。芯片输出接口为DDR LVDS，芯片采用64PIN QFN封装，供电电压为1.8V，每通道功耗<630mW。
