专利名称：一种高速电路的带上拉PMOS管的动态锁存器
专利国别：中国
专利号：201510497993.2
法律状态：授权
发明人：曹卫东, 王自强, 郑旭强, 黄柯, 李福乐
申请人：清华大学
地址：100084 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室
申请日期：2015-08-13
授权日期：2017-12-29
摘要：
本发明涉及电路设计领域，尤其涉及一种高速电路的带上拉PMOS管的动态锁存器，包括一个由正沿时钟CLKP控制的起尾电流源作用的NMOS管M0，一对由输入数据驱动的NMOS管M1和NMOS管M2，一对由负沿时钟CLKN控制的PMOS管M3和PMOS管M4，还有一个由CLKP控制的上拉PMOS管M6；本发明在动态锁存器的电路结构上作了改进，在尾电流源NMOS管M0的上方加了一个PMOS管M6，从而大大提升了动态锁存器的性能，在没有增加电路的复杂度与功耗的情况下，有效地解决了原来动态锁存器输出节点的漏电问题。
专利证书：
PDF/Jpg