专利名称：一种原位三层膜边缘覆盖超导约瑟夫森结制备工艺
专利国别：中国
专利号：201510125770.3
法律状态：授权
发明人：李浩，刘其春，刘建设，李铁夫，陈炜
申请人：清华大学
地址：100084 北京市海淀区双清路33号
申请日期：2015-03-20
授权日期：2017-03-29
摘要：
一种原位三层膜边缘覆盖超导约瑟夫森结制备工艺，工艺流程由原位生长三层膜、生长引线层、光刻和刻蚀定义结区三部分组成，Nb约瑟夫森结和Al约瑟夫森结的具体步骤和细节有所不同，最终可得到没有二氧化硅、有Al保护的Nb约瑟夫森结，或者没有多余电极、没有多余绝缘层的Al约瑟夫森结，本发明具有步骤简单、质量高、可规模化等特点。
专利证书：
PDF/Jpg