专利名称：具有强吸收结构的高速SNSPD及其制备方法
专利国别：中国
专利号：201210333661.7
法律状态：授权
发明人：成日盛，刘建设，李铁夫，陈炜
申请人：清华大学
地址：100084 北京市海淀区双清路35号
申请日期：2012-09-10
授权日期：2014-10-08
摘要：
具有强吸收结构的高速SNSPD及其制备方法，该SNSPD基于高折射率入射介质和空气腔结构，可以进一步提高超导纳米线的光子吸收率，与现有技术相比，本发明用相同材料和厚度的超导超薄膜制成纳米线的条件下，用更低的占空比就可以实现接近于101％的吸收率，这使得电子束曝光步骤的难度大大降低，这尤其对于超细纳米线的制备来说更为有利，而SOI衬底的采用则可以同时保证超导薄膜的高质量生长，不影响探测器的本征量子效率，另外，在保证同样大的有效探测面积的条件下，由于需要的纳米线的总长度显著减小，探测器的最高计数率可以得到提升，制备过程中发生缺陷的概率显著降低。
专利证书：
PDF/Jpg