采用65nm CMOS工艺研制了应用于宽带卫星通信的毫米波Ka频段射频前端芯片，在单个芯片上集成了8个接收通道或8个发射通道（如图 1所示），单通道发射输出功率超过12.71dBm，移相精度达到6bit，幅度控制精度达到5bit，单发射通道功耗为302mW。 （a） 芯片显微照片 （b）64 种移相状态的相对相移（测试） （c）32种衰减状态的相对幅度（测试） 图 应用于宽带卫星通信的65nm CMOS毫米波射频前端芯片（发射组件）
采用65nm CMOS工艺研制了应用于宽带卫星通信的毫米波Ka频段射频前端芯片，在单个芯片上集成了8个接收通道或8个发射通道（如图 1所示），单通道发射输出功率超过12.71dBm，移相精度达到6bit，幅度控制精度达到5bit，单发射通道功耗为302mW。
（a） 芯片显微照片
（b）64 种移相状态的相对相移（测试）
（c）32种衰减状态的相对幅度（测试） 图 应用于宽带卫星通信的65nm CMOS毫米波射频前端芯片（发射组件）
