低功耗高精度基准源、时钟产生电路
发布日期：2017-09-19浏览量：3521 发布人：icis
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1. 极低功耗高精度带隙基准
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●180nmCMOS工艺
●工作电压：1V~3V
●温度系数：7ppm/℃
●功率：0.24mW@1V
●通过工信部IP化认证
●已应用于数字助听器SoC
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2. 极低功耗高精度时钟产生电路
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●180nmCMOS工艺
●工作电压：1V
●功率：40mW
●时钟抖动：@1.28M, <200psrms；@2.56M, <400psrms
●通过工信部IP化认证
●已应用于数字助听器SoC
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3. 极低功耗IP在数字助听器SoC中的应用
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