专利名称：基于电磁双耦合的双前馈路径低噪声放大电路及放大器
专利国别：中国
专利号：202210179945.9
法律状态：实审
发明人：贾海昆，黄向荣，邓伟，池保勇
申请人：清华大学
地址：100084 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室
申请日期：2022-02-25
授权日期：
摘要：
本发明提供一种基于电磁双耦合的双前馈路径低噪声放大电路及放大器，属于集成电路技术领域，包括：输入模块、输出模块、晶体管、磁耦合前馈路径和电耦合前馈路径；输入模块通过晶体管与输出模块串联，磁耦合前馈路径与晶体管并联，电耦合前馈路径与晶体管并联；磁耦合前馈路径用于控制输入模块与晶体管之间的输入匹配和级间匹配；电耦合前馈路径用于去除所述晶体管寄生电容的耦合；输入模块用于将输入信号匹配至晶体管，晶体管用于将输入信号进行放大，输出模块用于将放大后的信号匹配至负载上，通过磁耦合前馈路径增强了等效跨导，通过电耦合前馈路径保证了稳定性，两条前馈路径保证了足够高的增益和足够低的噪声系数。
专利证书
PDF/Jpg