专利名称：一种具有读写分离的双端口SRAM单元6T结构
专利国别：中国
专利号：201110282766.X
法律状态：授权
发明人：曹华敏, 刘鸣, 陈虹, 郑翔, 王聪, 王志华, 高志强
申请人：清华大学
地址：100084 北京市海淀区100084信箱82分箱清华大学专利办公室
申请日期：2011-09-21
授权日期：2013-12-04
摘要：
一种具有读写分离的双端口SRAM单元6T结构,其锁存电路由相互耦合的两个反相器形成,并连接在单元电压和单元地之间,第一反相器包括第一上拉晶体管、第一下拉晶体管,第二反相器包括第二上拉晶体管、第二下拉晶体管,两个上拉晶体管源极接单元电压,栅极接另一反相器输出,两个下拉晶体管源极接单元地,栅极接另一反相器输出,第一上拉晶体管漏极和第一下拉晶体管的漏极相连,形成第一存储节点,第二上拉晶体管漏极和第二下拉晶体管的漏极相连,形成第二存储节点,传输晶体管分别连接第一存储节点、第一位线和第一字线,读出晶体管分别连接第二字线、第二位线和第一存储节点,本发明实现了提高SNM、减小漏电、增大读电流的目的。
专利证书
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