专利名称：采用分级位线和两级灵敏放大器的SRAM电路装置
专利国别：中国
专利号：201110205980.5
法律状态：授权
发明人：刘鸣, 陈虹, 郑翔, 曹华敏, 高志强, 王志华
申请人：清华大学
地址：100084北京市海淀区清华园
申请日期：2011-07-21
授权日期：2013-09-04
摘要：
一种采用分级位线和两级灵敏放大器的SRAM电路装置，划分为子阵列，每一个子阵列再采用分割位线级数，对应每根局部位线挂载有SRAM单元；第一级灵敏放大器采用锁存型结构，交叉耦合的反相器两个输入输出节点分别通过一个PMOS管驱动全局位线，这样局部位线放大后的信号无需缓冲，直接驱动全局位线，相比现有方案可以提升速度；第二级灵敏放大器采用一对互补的差分放大器，在第一级灵敏放大器打开之前开始工作，响应全局位线的变化，将全局位线上的差分数据放大至全摆幅并输出；本发明采用互补结构有利于数据的锁存和最终驱动输出。相比现有结构，采用分级位线和两级放大机制的电路访问延时减小了15%，有效提高了SRAM的速度。
专利证书
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